GeneSiC Semiconductor Inc.社の紹介と致しまして。

GeneSiC Semiconductor Inc.社は、米国バージニア州に本社拠点を置くSiC及び、Siパワーデバイスの専業メーカーであります。

GeneSiC Semiconductor Inc.社は、2004年に、Ranbir Singh工学博士によって、設立され、以降、2005年に米国政府の開発プロジェクト(DARPA / Northrop Graman)の契約をし、2007年に現在の地に本社を開設し、SiCダイオード(ショットキーバリアーダイオード、PiNダイオード)、SiCサイリスター、SiCバイポーラ接合トランジスター、等を、耐電圧600V~15000Vまでの、製品レンジで揃えており、高動作温度(Tj = 210℃)保証の製品もHigh Temp.品として、用意しており、モジュールメーカ向けに、ベアチップもパッドメタルは、アルミと金、バックサイドメタルは、金の対応と成っております。また、これらのチップを使用したカスタムモジュールにも、対応しております。これらに、加えまして、SOT227パッケージで、SiCバイポーラトランジスターと、SiCショットキーバリア・ダイオードとを、コーパックしたもの、Si IGBTと、SiCショットキーバリア・ダイオードをコーパックしたもの、更に、Siのショットキーバリア・ダイオードモジュール、Siのファーストリカバリーダイオードモジュール、のスーパーファーストリカバリーダイオードモジュールなども、提供いたしております。また、客先にてのデバイス評価支援と致しまして、SiCバイポーラトランジスターのドライバーボードの販売、デバイスのLTスパイスモデルの提供も行っております。

以上のように、GeneSiC Semiconductor Inc.は、SiC、Si、パワーデバイスの開発、生産、販売に特化した、非常にユニークな、御客様へのサービスに重点を置いた会社です。

下記に、GeneSiC Semiconductor Inc.社の製品概要を示します。

コマーシャルSiC製品◆
 
SiCショットキーバリアーダイオード
 
VRRM (V)
IF (A)
650 8000
2 ~ 100
 
 
SiCジャンクショントランジスター
 
VCE (V)
RCE(on)(mΩ)
Ic (A) 
 hFE
 switch (ns)
1200
10 180
 15 160
80 ~ 100
10 40
 
 
 
フルSiCデバイスモジュールとSiIGBT+SiCダイオードコーパックモジュール製品◆

フルSiCデバイス(SiCジャンクショントランジスター+SiCショットキーバリアーダイオード)             コーパックモジュール製品。

VCE (V) 
RCE(on)(mΩ)
Ic (A)
hFE
 tswitch (ns)
 1200
10 ~ 100
 25 ~ 160
 80 ~ 100
10 ~ 40

 

Si IGBT + SiC フリーウィーリング ダイオード コーパックモジュール製品

VCE (V)
Ic(max)(A)
VCE(sat)(V)
 1200
35 ~ 100
~ 3
 
  
◆SiCベアチップ製品◆
SiCジャンクショントランジスター  
 
VCE (max)(V)
RCE(on)(mΩ)
Ic(max)(A)
hFE
 Top metal
Bottom metal 
 600~ 1700
 20 ~ 240
 15 ~ 100
80  110
 Alminum(Al)
 Gold(Ni/Au)
 
 
 
 SiC PiNダイオード 
 
VRRM (V)
  IF (A) 
Top metal
Bottom metal 
8000 ~ 15000
2
Alminum(Al)/ Ni/Gold(Au)
Ni/Gold(Au)
 
 
 
SiCショットキーバリアダイオード 
VRRM (V)
 IF (A)
 Qc(nC)
Top metal
Bottom metal 
600 ~ 8000
0.05 ~ 100
7 ~ 158
Alminum(Al)/ Ni/Gold(Au)
Ni/Gold(Au)
 
 
 
SiCサイリスタ
VRRM (V)
 IF (A) 
Top metal
Bottom metal 
6500
40 ~ 80
Ni/Gold(Au)
Ni/Gold(Au)
 
 
 

◆Siディスクリート製品及びSiモジュール製品◆

Siスタンダード・リカバリーダイオード

VRRM (V)
Io(A)
50 ~ 2000
6 ~ 400
 
 Siファーストリカバリーダイオード(Fred) 
 
VRRM (V)
Io(A)
50 ~ 1000
6 ~ 85
 
 
Siスパーファーストリカバリーダイオード
 
 
VRRM (V)
Io(A)
50 ~ 1200
25 ~ 600
 
 
Siショットキーバリアーダイオード
 
VRRM (V)
Io(A)
10 ~ 200
15 ~ 800
 
 
Siブリッジ整流デバイス
 
VRRM (V)
Io(A)
50 ~ 1600
1 ~ 200
 
 
GeneSiC Semi.社から2016年6月より約1年後辺りSiC MOSFETが製品リリース予定!! 

更なる詳細情報に関しましては、GeneSiC Semiconductor Inc. Web.

http://www.genesicsemi.com/ を御参照願います。

 
 
 
 
 
 
 
 
御質問、お問い合わせは下記まで。

TEL   :0463-74-6013
FAX     :0463-74-5238