GeneSiC Semiconductor Inc.社の紹介と致しまして。
GeneSiC Semiconductor Inc.社は、米国バージニア州に本社拠点を置くSiC及び、Siパワーデバイスの専業メーカーであります。
GeneSiC Semiconductor Inc.社は、2004年に、Ranbir Singh工学博士によって、設立され、以降、2005年に米国政府の開発プロジェクト(DARPA / Northrop Graman)の契約をし、2007年に現在の地に本社を開設し、SiCダイオード(ショットキーバリアーダイオード、PiNダイオード)、SiCサイリスター、SiCバイポーラ接合トランジスター,SiC-MOSFET、等を、耐電圧600V~15000Vまでの、製品レンジで揃えており、高動作温度(Tj = 210℃)保証の製品もHigh Temp.品として、用意しており、モジュールメーカ向けに、ベアチップもパッドメタルは、アルミと金、バックサイドメタルは、金の対応と成っております。また、これらのチップを使用したカスタムモジュールにも、対応しております。これらに、加えまして、SOT227パッケージで、SiCバイポーラトランジスターと、SiCショットキーバリア・ダイオードとを、コーパックしたもの、Si IGBTと、SiCショットキーバリア・ダイオードをコーパックしたもの、更に、Siのショットキーバリア・ダイオードモジュール、Siのファーストリカバリーダイオードモジュール、のスーパーファーストリカバリーダイオードモジュールなども、提供いたしております。また、客先にてのデバイス評価支援と致しまして、デバイスのLTスパイスモデルの提供も行っております。
以上のように、GeneSiC Semiconductor Inc.は、SiC、Si、パワーデバイスの開発、生産、販売に特化した、非常にユニークな、御客様へのサービスに重点を置いた会社です。
下記に、GeneSiC Semiconductor Inc.社の製品概要を示します。
◆コマーシャルSiC製品◆
SiCショットキーバリアーダイオード
VRRM (V) | IF (A) |
650 ~ 8000 | 2 ~ 100 |
◆ SiC-MOSFET製品 ◆
650V ~ 6500V/ 10A ~ 100A
SiCジャンクショントランジスター
VCE (V) | RCE(on)(mΩ) | Ic (A) | hFE | tswitch (ns) |
1200 | 10~ 180 | 15~ 160 | 80 ~ 100 | 10~ 40 |
◆フルSiCデバイスモジュールとSiIGBT+SiCダイオードコーパックモジュール製品◆
フルSiCデバイス(SiCジャンクショントランジスター+SiCショットキーバリアーダイオード) コーパックモジュール製品。
VCE (V) | RCE(on)(mΩ) | Ic (A) | hFE | tswitch (ns) |
1200 | 10 ~ 100 | 25 ~ 160 | 80 ~ 100 | 10 ~ 40 |
Si IGBT + SiC フリーウィーリング ダイオード コーパックモジュール製品
VCE (V) | Ic(max)(A) | VCE(sat)(V) |
1200 | 35 ~ 100 | 1 ~ 3 |
◆SiCベアチップ製品◆
SiCジャンクショントランジスター
VCE (max)(V) | RCE(on)(mΩ) | Ic(max)(A) | hFE | Top metal | Bottom metal |
600~ 1700 | 20 ~ 240 | 15 ~ 100 | 80 ~ 110 | Alminum(Al) | Gold(Ni/Au) |
SiC PiNダイオード
VRRM (V) | IF (A) | Top metal | Bottom metal |
8000 ~ 15000 | 2 | Alminum(Al)/ Ni/Gold(Au) | Ni/Gold(Au) |
SiCショットキーバリアダイオード
VRRM (V) | IF (A) | Qc(nC) | Top metal | Bottom metal |
600 ~ 8000 | 0.05 ~ 100 | 7 ~ 158 | Alminum(Al)/ Ni/Gold(Au) | Ni/Gold(Au) |
SiCサイリスタ
VRRM (V) | IF (A) | Top metal | Bottom metal |
6500 | 40 ~ 80 | Ni/Gold(Au) | Ni/Gold(Au) |
◆Siディスクリート製品及びSiモジュール製品◆
Siスタンダード・リカバリーダイオード
VRRM (V) | Io(A) |
50 ~ 2000 | 6 ~ 400 |
Siファーストリカバリーダイオード(Fred)
VRRM (V) | Io(A) |
50 ~ 1000 | 6 ~ 85 |
Siスパーファーストリカバリーダイオード
VRRM (V) | Io(A) |
50 ~ 1200 | 25 ~ 600 |
Siショットキーバリアーダイオード
VRRM (V) | Io(A) |
10 ~ 200 | 15 ~ 800 |
Siブリッジ整流デバイス
VRRM (V) | Io(A) |
50 ~ 1600 | 1 ~ 200 |
更なる詳細情報に関しましては、GeneSiC Semiconductor Inc. Web.
https://www.genesicsemi.com を御参照願います。